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PECVD型原子層薄膜沉積系統

類别:磁控鍍膜設備   發布時間:2019-07-19 13:33   浏覽: 次


應用範圍:
  • 柔性材料表面采用PECVD原子層低溫沉積阻隔膜增透膜

基本參數:
  • 不鏽鋼爐體,前開門結構
  • 爐腔尺寸: 300 mm寬X300mm高×500mm長,内部有效使用空間:250(寬)×250(高)×350(長)
  • 工作真空:大氣至2×10-3Pa<35分鐘
  • 極限真空度:4×10-4Pa(空載加溫200度3小時後)
  • 2組流量計充氣系統, 2組針閥充氣系統
  • 四組源儲存罐,加熱溫度50-100°
  • 一套柔性材料收放卷系統
  • 一組加熱烘烤控溫系統,最高烘烤溫度200℃,100-200℃溫度可調可控。溫度均與性:±2.5℃(110℃)
  • 一套射頻PECVD等離子低溫原子層沉積
  • 控制方式:手動/自動一體化,觸摸屏+PLC

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